哈喽！相信很多朋友都对nor模板消除不太了解吧，所以小编今天就进行详细解释，还有几点拓展内容，希望能给你一定的启发，让我们现在开始吧！
本篇目录：
- 1、考研真题1999年第5篇句子。这个nor怎么翻译啊求大神?
- 2、谁能帮我翻译下面这篇作文模板。不要到好123直接翻译过来的。
- 3、2021年12月英语四级必背作文及模板3篇
- 4、软件开发工程师个人简历模板3篇
- 5、Flash存储器的简要介绍
- 6、eeprom和norflash的区别
考研真题1999年第5篇句子。这个nor怎么翻译啊求大神?
翻译：新的世界秩序并没有什么新的东西，多样性也不是一项新的发明。
not表否定，就是没有那么的为什么，因此连起来就成这样的翻译了。
这个句子主干部分为people will only start shopping moe sustainabl...，从句为when 引导的条件状语从句，该从句为省略句，not to 后省略了主句中的shop more substainably. cant afford not to 两个not ，双重否定。
这个句子， 不 是 虚拟语气。翻译成为中文就是：她居然这么快把我忘记了，是非常令人吃惊的一件事。
谁能帮我翻译下面这篇作文模板。不要到好123直接翻译过来的。
1、她激励着我成为一个更好的人，永远不放弃自己的梦想。 我非常感激有莉莉这个朋友在我的生命中。她不仅是我的朋友，也是我的姐妹。我知道无论发生什么事情，她都会一直陪伴在我身边。
2、（1）图片中生动地描绘，痛苦的和令人沮丧的人，不仅纵容成阴险和有毒，而且，这似乎是幽默和荒谬的，但应该上的第二个想法发人深省。
3、大家看到这个作文题目不要慌，其实这类英语作文很简单。我在此整理了三篇“my school”相关作文供大家参阅，希望大家在阅读过程中有所收获，能打开你的思路，让你下笔如有神！ 写作思路： 可以对学校的名称、地点进行简单叙述。
2021年12月英语四级必背作文及模板3篇
1、年12月英语四级作文模板 拒绝盗版 Directions：For this part，you are allowed 30 minutes to write a short essay entitled Say No to Pirated Products. 目前盗版现象比较严重。 造成在这种现象的原因及危害。
2、年12月英语四级考试将在12月18日进行。作文是考试中很重要的一部分，下面分享一些英语四级作文作文预测及范文，供大家参考。
3、要写出一篇优秀的四级作文，平时要养成积累和运用的好习惯。下面是为大家整理的有关英语四级作文必背范文参考，希望对你们有帮助。
4、年12月英语四级考试时间是12月17日。距离考试还有3天了，现在正式考生最后的冲刺阶段。作文是冲刺阶段的重中之重。下面我就为大家整理了英语四级作文必背范文，希望对大家有所帮助。
5、年12月大学英语四级作文范文模板 Directions：For this part，you are allowed 30 minutes to write a short essay entitled Green Food.近年来，“绿色食品”变得越来越流行。分析这种现象产生的原因。
6、年12月英语四级考试将在12月18日进行。四级考试主要分为写作题和填空题以及选择题，作文也是很重要的一部分，下面分享一些作文模板和句子，供大家参考。
软件开发工程师个人简历模板3篇
1、xx年3月—xx年7月 xx有限公司，担任软件设计师。
2、Flash、电工电子技术、数据结构、数据结构课程设计、JA程序设计、软件工程实训、数据库概论、计算机组成原理、软件工程、 操作系统 、计算机网络基础、软件测试技术；同时也学习了会计方面的基础课程。
3、下面是我为大家收集的关于2020软件工程专业个人简历模板5篇。希望可以帮助大家。
Flash存储器的简要介绍
1、这种存储器在断电时将丢失其存储内容，故主要用于存储短时间使用的程序。 按照存储单元的工作原理，随机存储器又分为静态随机存储器(英文：Static RAM，SRAM)和动态随机存储器(英文Dynamic RAM，DRAM)。
2、闪速存储器（Flash Memory）是一类非易失性存储器NVM（Non-Volatile Memory）即使在供电电源关闭后仍能保持片内信息；而诸如DRAM、SRAM这类易失性存储器，当供电电源关闭时片内信息随即丢失。
3、memory)。它的主要特点是在不加电的情况下能长期保持存储的信息。就其本质而言，flash memory属于eeprom(电擦除可编程只读存储器)类型。它既有rom的特点，又有很高的存取速度，而且易于擦除和重写，功耗很小。
4、CF卡（CompactFlash）CF卡是美国SanDisk 公司于1994引入的闪存卡，可以说是最早的大容量便携式存储设备。它的大小只有43mm×36mm×3mm，相当于笔记本电脑的PCMCIA卡体积的四分之一。
5、闪存(flash存储器)的工作原理闪存(flashmemory)是一种非易失性存储器，它使用了一种叫做NAND闪存技术。这种技术将数据存储在多个晶体管中，通过擦除和重写来存储和修改数据。
6、RAM：也叫主存，是与CPU直接交换数据的内部存储器。Flash：快闪存储器（英语：flash memory），是一种电子式可清除程序化只读存储器的形式，允许在操作中被多次擦或写的存储器。
eeprom和norflash的区别
FLASH属于广义上的ROM，和EEPROM的最大区别是FLASH按扇区操作，相对于EEPROM的改进就是擦除时不再以字节为单位，而是以块为单位，简化了电路，数据密度更高，降低了成本。目前Flash主要有两种NOR Flash和NADN Flash。
ROM可细分为不可编程的ROM，可编程的ROM（PROM），可擦除可编程的ROM（EPROM）和 电可擦除可编程的ROM（EEPROM）。
EEPROM：电可擦除可编程只读存储器，比之EPROM就先进点了，可以用电来擦除里面对数据，也是现在用得比较多的存储器，比如24CXX系列的EEPROM。NANDFLASH和NORFLASH都是现在用得比较多的非易失性闪存。
EEPROM 为电擦除的 不用插拔 可以在线擦除 能够多次反复使用 可烧写次数一般达 到1万 次以上 但擦写速度要比RAM读写存储器要慢好几个数量级。
这二种存储设备我们都统称为“FLASH”，FLASH是一种存储芯片，全名叫Flash EEPROM Memory，通地过程序可以修改数据，即平时所说的“闪存”。Flash又分为NAND flash和NOR flash二种。U盘和MP3里用的就是这种存储器。
由于受到数码设备强劲发展的带动， NAND 闪存一直呈现指数级的超高速增长.NOR和NAND是市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。
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